ដើម្បីជំរុញដែនកំណត់ដង់ស៊ីតេថាមពលនៃ super-capacitors ថ្នាក់ថ្មីនៃសម្ភារៈអេឡិចត្រូតដែលមានស្ថាបត្យកម្មអំណោយផលគឺត្រូវការយ៉ាងខ្លាំង។
ស៊ុលហ្វីតលោហៈ Binary មានការសន្យាដ៏អស្ចារ្យជាសម្ភារៈអេឡិចត្រូតសម្រាប់ឧបករណ៍ផ្ទុកថាមពលដែលមានប្រសិទ្ធភាពខ្ពស់ ព្រោះវាផ្តល់នូវសកម្មភាពអេឡិចត្រូគីមីខ្ពស់ និងសមត្ថភាពខ្ពស់ជាងស៊ុលហ្វីត mono-metal ។
នៅទីនេះ ការរចនាសមហេតុផល និងការផលិតសន្លឹកណាណូ NiCo2S4 ដែល ទ្រទ្រង់ លើ ស្នោកាបូនដែលមានជាតិអាសូត (NCF) (ផ្អែកលើស្នោមេឡាមីនដែលមានជាតិកាបូន SINOYQX) ត្រូវបានបង្ហាញជាអេឡិចត្រូតដែលអាចបត់បែនបានថ្មីសម្រាប់ឧបករណ៍ផ្ទុកថាមពលខ្លាំង។
វិធីសាស្ត្រពីរជំហានងាយស្រួលមួយត្រូវបានបង្កើតឡើងសម្រាប់ការលូតលាស់ សន្លឹក ណា ណូ NiCo2S4 លើ NCF ជាមួយនឹងការស្អិតជាប់ខ្លាំង ដែលពាក់ព័ន្ធនឹងការលូតលាស់នៃសារធាតុបឋម Ni-Co និងការបំលែងជាបន្តបន្ទាប់ទៅជាសន្លឹកណាណូ NiCo2S4 តាមរយៈ ដំណើរការ ស៊ុ លហ្វីដេត។
ដោយទទួលបានអត្ថប្រយោជន៍ពីលក្ខណៈពិសេសនៃសមាសភាព និងស្ថាបត្យកម្មអេឡិចត្រូត 3D អេឡិចត្រូត NiCo2S4 / NCF បង្ហាញ ពីដំណើរការអេឡិចត្រូគីមីដែលប្រសើរឡើងយ៉ាងខ្លាំង ជាមួយនឹងសមត្ថភាពខ្ពស់បំផុត (877 Fg −1 នៅ 20 Ag −1 ) និងស្ថេរភាពវដ្តដ៏ល្អឥតខ្ចោះ។
លើសពីនេះ ឧបករណ៍ស៊ុបភើ-ខាប៉ាស៊ីទ័រអសមមាត្រដែលគ្មានសារធាតុចង ក៏ត្រូវបានផលិតឡើងដោយប្រើ NiCo2S4 / NCF ជា អេឡិចត្រូតវិជ្ជមាន និងកាបូនមេសូប៉ូរេសលំដាប់ (OMC)/NCF ជាអេឡិចត្រូតអវិជ្ជមាន; នេះបង្ហាញពីដង់ស៊ីតេថាមពលខ្ពស់ (≈45.5 Wh kg −1 នៅ 512 W kg −1 )។
សម្រាប់ព័ត៌មានបន្ថែមអំពីគម្រោងនេះ សូមទាក់ទង SINOYQX តាមរយៈ៖ [email protected] ឬអ៊ីមែលតាម [email protected] Laifa Shen, Jie Wang, Guiyin Xu, Hongsen Li, Hui Dou និង Xiaogang Zhang មកពីមហាវិទ្យាល័យវិទ្យាសាស្ត្រសម្ភារៈ និងវិស្វកម្ម មន្ទីរពិសោធន៍សំខាន់ Jiangsu នៃសម្ភារៈ និងបច្ចេកវិទ្យាសម្រាប់ការបំលែងថាមពល ណានជីង សាធារណរដ្ឋប្រជាមានិតចិន ដើម្បីជំរុញដែនកំណត់ដង់ស៊ីតេថាមពលរបស់ឧបករណ៍ផ្ទុកថាមពលខ្លាំង ថ្នាក់ថ្មីនៃសម្ភារៈអេឡិចត្រូតដែលមានស្ថាបត្យកម្មអំណោយផលគឺត្រូវការយ៉ាងខ្លាំង។